విజ్ఞాన శాస్త్రం మరియు సాంకేతిక విజ్ఞానం - టెస్ట్ 1 - సెమీకండక్టర్ పదార్థాలు మరియు డోపింగ్
Please keep at least one language enabled. || కనీసం ఒక భాషను ఎంచుకోండి.
Question 1
ప్రశ్న 1
Which statement best compares conductors, semiconductors and insulators in terms of energy bands?
శక్తి బ్యాండ్ల పరంగా వాహకాలు, సెమీకండక్టర్లు మరియు అవాహకాలను సరైన విధంగా పోల్చేది ఏది?
Select an option first. || ముందుగా ఒక సమాధానాన్ని ఎంచుకోండి.
Explanation:
• Band structure strongly influences how easily electrons can participate in conduction.
• Semiconductors have a relatively small finite band gap, so thermal or optical energy can create mobile carriers.
• Insulators generally have a much larger gap, while conductors have accessible states that allow much easier conduction.
• Semiconductors have a relatively small finite band gap, so thermal or optical energy can create mobile carriers.
• Insulators generally have a much larger gap, while conductors have accessible states that allow much easier conduction.
వివరణ:
• ఎలక్ట్రాన్లు విద్యుత్ ప్రవాహంలో ఎంత సులభంగా పాల్గొనగలవో band structure ప్రధానంగా నిర్ణయిస్తుంది.
• సెమీకండక్టర్లలో band gap తక్కువగా ఉండటంతో ఉష్ణం లేదా కాంతి ద్వారా చలించే విద్యుత్ వాహక కణాలు ఏర్పడవచ్చు.
• అవాహకాలలో ఈ అంతరం చాలా పెద్దగా ఉంటుంది; వాహకాల్లో విద్యుత్ ప్రవాహానికి అవసరమైన స్థితులు మరింత సులభంగా అందుబాటులో ఉంటాయి.
• సెమీకండక్టర్లలో band gap తక్కువగా ఉండటంతో ఉష్ణం లేదా కాంతి ద్వారా చలించే విద్యుత్ వాహక కణాలు ఏర్పడవచ్చు.
• అవాహకాలలో ఈ అంతరం చాలా పెద్దగా ఉంటుంది; వాహకాల్లో విద్యుత్ ప్రవాహానికి అవసరమైన స్థితులు మరింత సులభంగా అందుబాటులో ఉంటాయి.
Question 2
ప్రశ్న 2
In an ideal intrinsic semiconductor at thermal equilibrium, what is the relationship between electron concentration and hole concentration?
ఉష్ణ సమతుల్యంలో ఉన్న ఆదర్శ intrinsic semiconductorలో ఎలక్ట్రాన్ల సాంద్రత మరియు holes సాంద్రత మధ్య సంబంధం ఏమిటి?
Select an option first. || ముందుగా ఒక సమాధానాన్ని ఎంచుకోండి.
Explanation:
• In an intrinsic semiconductor, mobile electrons and holes are generated in pairs.
• Therefore their equilibrium concentrations are equal: each promoted electron leaves one hole behind.
• Doping breaks this equality by making one carrier type much more abundant than the other.
• Therefore their equilibrium concentrations are equal: each promoted electron leaves one hole behind.
• Doping breaks this equality by making one carrier type much more abundant than the other.
వివరణ:
• Intrinsic semiconductorలో చలించే ఎలక్ట్రాన్లు మరియు holes జంటలుగా ఏర్పడతాయి.
• ఒక ఎలక్ట్రాన్ పై శక్తి స్థాయికి వెళ్లినప్పుడు ఒక hole మిగులుతుంది కాబట్టి సమతుల్యంలో రెండింటి సాంద్రత సమానంగా ఉంటుంది.
• Doping చేసినప్పుడు ఒక రకమైన వాహక కణాల సంఖ్య మరొక రకంతో పోలిస్తే ఎక్కువవుతుంది.
• ఒక ఎలక్ట్రాన్ పై శక్తి స్థాయికి వెళ్లినప్పుడు ఒక hole మిగులుతుంది కాబట్టి సమతుల్యంలో రెండింటి సాంద్రత సమానంగా ఉంటుంది.
• Doping చేసినప్పుడు ఒక రకమైన వాహక కణాల సంఖ్య మరొక రకంతో పోలిస్తే ఎక్కువవుతుంది.
Question 3
ప్రశ్న 3
Why does the electrical conductivity of an intrinsic semiconductor generally increase when its temperature is raised within its normal semiconductor range?
సాధారణ semiconductor ఉష్ణోగ్రత పరిధిలో intrinsic semiconductor ఉష్ణోగ్రత పెరిగినప్పుడు దాని విద్యుత్ వాహకత సాధారణంగా ఎందుకు పెరుగుతుంది?
Select an option first. || ముందుగా ఒక సమాధానాన్ని ఎంచుకోండి.
Explanation:
• Thermal energy can excite valence electrons across the band gap into the conduction band.
• Each excitation creates a conduction electron and a hole, increasing the number of mobile carriers.
• The increase in carrier concentration generally causes intrinsic-semiconductor conductivity to rise with temperature.
• Each excitation creates a conduction electron and a hole, increasing the number of mobile carriers.
• The increase in carrier concentration generally causes intrinsic-semiconductor conductivity to rise with temperature.
వివరణ:
• ఉష్ణ శక్తి వల్ల వాలెన్స్ బ్యాండ్లోని ఎలక్ట్రాన్లు band gap దాటి కండక్షన్ బ్యాండ్కు చేరవచ్చు.
• ప్రతి ఇటువంటి ఉత్తేజనతో ఒక చలించే ఎలక్ట్రాన్ మరియు ఒక hole ఏర్పడి విద్యుత్ వాహక కణాల సంఖ్య పెరుగుతుంది.
• అందువల్ల intrinsic semiconductorలో ఉష్ణోగ్రత పెరిగేకొద్దీ విద్యుత్ వాహకత సాధారణంగా పెరుగుతుంది.
• ప్రతి ఇటువంటి ఉత్తేజనతో ఒక చలించే ఎలక్ట్రాన్ మరియు ఒక hole ఏర్పడి విద్యుత్ వాహక కణాల సంఖ్య పెరుగుతుంది.
• అందువల్ల intrinsic semiconductorలో ఉష్ణోగ్రత పెరిగేకొద్దీ విద్యుత్ వాహకత సాధారణంగా పెరుగుతుంది.
Question 4
ప్రశ్న 4
What is the principal technological purpose of doping a semiconductor?
సెమీకండక్టర్కు doping చేయడంలోని ప్రధాన సాంకేతిక ఉద్దేశ్యం ఏమిటి?
Select an option first. || ముందుగా ఒక సమాధానాన్ని ఎంచుకోండి.
Explanation:
• Doping intentionally introduces selected impurity atoms into a semiconductor in controlled amounts.
• Donor dopants increase the electron concentration, while acceptor dopants increase the hole concentration.
• This ability to tailor carrier populations is fundamental to semiconductor-device fabrication.
• Donor dopants increase the electron concentration, while acceptor dopants increase the hole concentration.
• This ability to tailor carrier populations is fundamental to semiconductor-device fabrication.
వివరణ:
• Dopingలో ఎంపిక చేసిన మలిన పరమాణువులను నియంత్రిత పరిమాణంలో సెమీకండక్టర్లో చేర్చుతారు.
• Donor dopants ఎలక్ట్రాన్ల సంఖ్యను పెంచుతాయి; acceptor dopants holes సంఖ్యను పెంచుతాయి.
• విద్యుత్ వాహక కణాల సంఖ్యను అవసరానికి అనుగుణంగా మార్చగలగడం semiconductor devices తయారీలో అత్యంత ముఖ్యమైనది.
• Donor dopants ఎలక్ట్రాన్ల సంఖ్యను పెంచుతాయి; acceptor dopants holes సంఖ్యను పెంచుతాయి.
• విద్యుత్ వాహక కణాల సంఖ్యను అవసరానికి అనుగుణంగా మార్చగలగడం semiconductor devices తయారీలో అత్యంత ముఖ్యమైనది.
Question 5
ప్రశ్న 5
Silicon is doped with a small amount of phosphorus. What is the expected result under ordinary conditions?
Siliconలో స్వల్ప పరిమాణంలో phosphorusను doping చేస్తే సాధారణ పరిస్థితుల్లో ఏ ఫలితం వస్తుంది?
Select an option first. || ముందుగా ఒక సమాధానాన్ని ఎంచుకోండి.
Explanation:
• Phosphorus has five valence electrons, one more than silicon.
• When it substitutes for a silicon atom, the extra electron is relatively weakly bound and can contribute to conduction.
• Phosphorus therefore acts as a donor, producing n-type silicon in which electrons are the majority carriers.
• When it substitutes for a silicon atom, the extra electron is relatively weakly bound and can contribute to conduction.
• Phosphorus therefore acts as a donor, producing n-type silicon in which electrons are the majority carriers.
వివరణ:
• Phosphorusకు ఐదు valence electrons ఉండగా siliconకు నాలుగు ఉంటాయి.
• Silicon స్థానంలో phosphorus పరమాణువు చేరినప్పుడు అదనంగా ఉన్న ఎలక్ట్రాన్ తక్కువ బంధంతో ఉండి విద్యుత్ ప్రవాహంలో పాల్గొనగలదు.
• అందువల్ల phosphorus donorగా పనిచేసి, ఎలక్ట్రాన్లు ప్రధాన వాహక కణాలుగా ఉండే n-type siliconను ఏర్పరుస్తుంది.
• Silicon స్థానంలో phosphorus పరమాణువు చేరినప్పుడు అదనంగా ఉన్న ఎలక్ట్రాన్ తక్కువ బంధంతో ఉండి విద్యుత్ ప్రవాహంలో పాల్గొనగలదు.
• అందువల్ల phosphorus donorగా పనిచేసి, ఎలక్ట్రాన్లు ప్రధాన వాహక కణాలుగా ఉండే n-type siliconను ఏర్పరుస్తుంది.
Question 6
ప్రశ్న 6
Which dopant is most suitable for producing p-type silicon?
p-type silicon తయారు చేయడానికి క్రింది వాటిలో ఏ dopant అత్యంత అనుకూలం?
Select an option first. || ముందుగా ఒక సమాధానాన్ని ఎంచుకోండి.
Explanation:
• Boron has three valence electrons, one fewer than silicon.
• It acts as an acceptor impurity and creates holes that can participate in conduction.
• Phosphorus, arsenic and antimony are common donor dopants for n-type silicon.
• It acts as an acceptor impurity and creates holes that can participate in conduction.
• Phosphorus, arsenic and antimony are common donor dopants for n-type silicon.
వివరణ:
• Boronకు మూడు valence electrons ఉండగా siliconకు నాలుగు ఉంటాయి.
• ఇది acceptor dopantగా పనిచేసి విద్యుత్ ప్రవాహంలో పాల్గొనే holesను పెంచుతుంది.
• Phosphorus, arsenic, antimony సాధారణంగా n-type silicon తయారీలో donor dopantsగా ఉపయోగిస్తారు.
• ఇది acceptor dopantగా పనిచేసి విద్యుత్ ప్రవాహంలో పాల్గొనే holesను పెంచుతుంది.
• Phosphorus, arsenic, antimony సాధారణంగా n-type silicon తయారీలో donor dopantsగా ఉపయోగిస్తారు.
Question 7
ప్రశ్న 7
Consider the following statements about impurity levels in silicon:
1. Donor energy levels lie close to the conduction band.
2. Acceptor energy levels lie close to the valence band.
Which of the statements given above is/are correct?
1. Donor energy levels lie close to the conduction band.
2. Acceptor energy levels lie close to the valence band.
Which of the statements given above is/are correct?
Siliconలో dopant energy levels గురించి క్రింది ప్రకటనలను పరిశీలించండి:
1. Donor energy levels కండక్షన్ బ్యాండ్కు సమీపంలో ఉంటాయి.
2. Acceptor energy levels వాలెన్స్ బ్యాండ్కు సమీపంలో ఉంటాయి.
పై ప్రకటనల్లో ఏది/ఏవి సరైనవి?
1. Donor energy levels కండక్షన్ బ్యాండ్కు సమీపంలో ఉంటాయి.
2. Acceptor energy levels వాలెన్స్ బ్యాండ్కు సమీపంలో ఉంటాయి.
పై ప్రకటనల్లో ఏది/ఏవి సరైనవి?
Select an option first. || ముందుగా ఒక సమాధానాన్ని ఎంచుకోండి.
Explanation:
• Donor levels are close to the conduction-band edge, so donor electrons need relatively little energy to enter conducting states.
• Acceptor levels are close to the valence-band edge and can accept electrons from the valence band, leaving holes behind.
• These shallow impurity levels explain why small amounts of doping can strongly affect conductivity.
• Acceptor levels are close to the valence-band edge and can accept electrons from the valence band, leaving holes behind.
• These shallow impurity levels explain why small amounts of doping can strongly affect conductivity.
వివరణ:
• Donor energy levels కండక్షన్ బ్యాండ్ అంచుకు సమీపంలో ఉంటాయి కాబట్టి donor ఎలక్ట్రాన్లు తక్కువ శక్తితోనే వాహక స్థితిలోకి చేరగలవు.
• Acceptor levels వాలెన్స్ బ్యాండ్ అంచుకు సమీపంలో ఉండి అక్కడి ఎలక్ట్రాన్లను స్వీకరించగలవు; దీంతో holes మిగులుతాయి.
• ఈ కారణంగానే స్వల్ప doping కూడా సెమీకండక్టర్ విద్యుత్ వాహకతను గణనీయంగా మార్చగలదు.
• Acceptor levels వాలెన్స్ బ్యాండ్ అంచుకు సమీపంలో ఉండి అక్కడి ఎలక్ట్రాన్లను స్వీకరించగలవు; దీంతో holes మిగులుతాయి.
• ఈ కారణంగానే స్వల్ప doping కూడా సెమీకండక్టర్ విద్యుత్ వాహకతను గణనీయంగా మార్చగలదు.
Question 8
ప్రశ్న 8
Which statement about an n-type semiconductor is correct?
n-type semiconductor గురించి సరైన ప్రకటన ఏది?
Select an option first. || ముందుగా ఒక సమాధానాన్ని ఎంచుకోండి.
Explanation:
• Donor doping raises the electron concentration, so electrons become the majority carriers in n-type material.
• Thermally generated holes are still present, but in much smaller concentration under ordinary extrinsic conditions.
• The semiconductor remains approximately electrically neutral overall because ionized donor charges balance the mobile electrons.
• Thermally generated holes are still present, but in much smaller concentration under ordinary extrinsic conditions.
• The semiconductor remains approximately electrically neutral overall because ionized donor charges balance the mobile electrons.
వివరణ:
• Donor doping వల్ల ఎలక్ట్రాన్ల సాంద్రత పెరిగి n-type పదార్థంలో అవే ప్రధాన విద్యుత్ వాహక కణాలుగా మారుతాయి.
• ఉష్ణం వల్ల ఏర్పడే holes ఇంకా ఉంటాయి; అయితే సాధారణ పరిస్థితుల్లో వాటి సంఖ్య చాలా తక్కువగా ఉంటుంది.
• Ionized donor పరమాణువుల ధన ఛార్జ్ చలించే ఎలక్ట్రాన్ల ఋణ ఛార్జ్ను సమతుల్యం చేస్తుంది కాబట్టి మొత్తం పదార్థం సుమారుగా విద్యుత్ తటస్థంగానే ఉంటుంది.
• ఉష్ణం వల్ల ఏర్పడే holes ఇంకా ఉంటాయి; అయితే సాధారణ పరిస్థితుల్లో వాటి సంఖ్య చాలా తక్కువగా ఉంటుంది.
• Ionized donor పరమాణువుల ధన ఛార్జ్ చలించే ఎలక్ట్రాన్ల ఋణ ఛార్జ్ను సమతుల్యం చేస్తుంది కాబట్టి మొత్తం పదార్థం సుమారుగా విద్యుత్ తటస్థంగానే ఉంటుంది.
Question 9
ప్రశ్న 9
Which statement about a p-type semiconductor is a misconception?
p-type semiconductor గురించి క్రింది వాటిలో ఏది అపోహ?
Select an option first. || ముందుగా ఒక సమాధానాన్ని ఎంచుకోండి.
Explanation:
• The term p-type refers to holes being the majority mobile carriers, not to the bulk crystal carrying a net positive charge.
• Ionized acceptor atoms provide balancing negative charge in the lattice.
• Therefore a p-type semiconductor is approximately electrically neutral overall, while holes dominate its conduction.
• Ionized acceptor atoms provide balancing negative charge in the lattice.
• Therefore a p-type semiconductor is approximately electrically neutral overall, while holes dominate its conduction.
వివరణ:
• p-type అనే పదం holes ప్రధానంగా చలించే విద్యుత్ వాహక కణాలు అని సూచిస్తుంది; మొత్తం స్ఫటికం నికర ధన ఛార్జ్ కలిగి ఉందని కాదు.
• స్ఫటిక జాలకంలో ఉన్న ionized acceptor పరమాణువుల ఋణ ఛార్జ్ దీనిని సమతుల్యం చేస్తుంది.
• అందువల్ల p-type semiconductor మొత్తం స్థాయిలో సుమారుగా విద్యుత్ తటస్థంగానే ఉండి, విద్యుత్ ప్రవాహంలో holes ప్రధాన పాత్ర పోషిస్తాయి.
• స్ఫటిక జాలకంలో ఉన్న ionized acceptor పరమాణువుల ఋణ ఛార్జ్ దీనిని సమతుల్యం చేస్తుంది.
• అందువల్ల p-type semiconductor మొత్తం స్థాయిలో సుమారుగా విద్యుత్ తటస్థంగానే ఉండి, విద్యుత్ ప్రవాహంలో holes ప్రధాన పాత్ర పోషిస్తాయి.
Question 10
ప్రశ్న 10
In semiconductor physics, what does a 'hole' represent?
Semiconductor physicsలో 'hole' అంటే ఏమిటి?
Select an option first. || ముందుగా ఒక సమాధానాన్ని ఎంచుకోండి.
Explanation:
• A hole is not a separate elementary particle inserted into the semiconductor.
• It represents a missing electron in an allowed valence-band state and is treated as an effective positive charge carrier.
• Successive movement of neighbouring electrons into vacant states makes the hole appear to move through the crystal.
• It represents a missing electron in an allowed valence-band state and is treated as an effective positive charge carrier.
• Successive movement of neighbouring electrons into vacant states makes the hole appear to move through the crystal.
వివరణ:
• Hole అనేది సెమీకండక్టర్లోకి చేరిన ప్రత్యేక మౌలిక కణం కాదు.
• వాలెన్స్ బ్యాండ్లో ఉండాల్సిన ఎలక్ట్రాన్ లేని స్థితిని hole అంటారు; లెక్కింపుల్లో ఇది ప్రభావవంతమైన ధన వాహక కణంలా పరిగణించబడుతుంది.
• పక్కనున్న ఎలక్ట్రాన్లు వరుసగా ఖాళీ స్థానాలను నింపడంతో hole స్ఫటికంలో కదులుతున్నట్లు కనిపిస్తుంది.
• వాలెన్స్ బ్యాండ్లో ఉండాల్సిన ఎలక్ట్రాన్ లేని స్థితిని hole అంటారు; లెక్కింపుల్లో ఇది ప్రభావవంతమైన ధన వాహక కణంలా పరిగణించబడుతుంది.
• పక్కనున్న ఎలక్ట్రాన్లు వరుసగా ఖాళీ స్థానాలను నింపడంతో hole స్ఫటికంలో కదులుతున్నట్లు కనిపిస్తుంది.
Question 11
ప్రశ్న 11
At about room temperature, which comparison between intrinsic silicon and intrinsic germanium is correct?
సుమారు గది ఉష్ణోగ్రత వద్ద intrinsic silicon మరియు intrinsic germanium గురించి సరైన పోలిక ఏది?
Select an option first. || ముందుగా ఒక సమాధానాన్ని ఎంచుకోండి.
Explanation:
• At about 300 K, silicon has a band gap of roughly 1.1 eV, while germanium has a smaller gap of roughly 0.66 eV.
• The smaller gap in germanium makes thermal generation of carriers easier at the same temperature.
• Both silicon and germanium are elemental semiconductors; their band gaps are not identical.
• The smaller gap in germanium makes thermal generation of carriers easier at the same temperature.
• Both silicon and germanium are elemental semiconductors; their band gaps are not identical.
వివరణ:
• సుమారు 300 K వద్ద silicon band gap దాదాపు 1.1 eV కాగా germaniumది దాదాపు 0.66 eV మాత్రమే.
• Germaniumలో band gap తక్కువగా ఉండటం వల్ల అదే ఉష్ణోగ్రత వద్ద ఉష్ణం ద్వారా విద్యుత్ వాహక కణాలు ఏర్పడటం సులభం.
• Silicon, germanium రెండూ మూలక semiconductorలు; వాటి band gaps సమానంగా ఉండవు.
• Germaniumలో band gap తక్కువగా ఉండటం వల్ల అదే ఉష్ణోగ్రత వద్ద ఉష్ణం ద్వారా విద్యుత్ వాహక కణాలు ఏర్పడటం సులభం.
• Silicon, germanium రెండూ మూలక semiconductorలు; వాటి band gaps సమానంగా ఉండవు.
Question 12
ప్రశ్న 12
Which of the following pairs is correctly matched for silicon doping?
Silicon dopingకు సంబంధించి క్రింది జతల్లో సరైనది ఏది?
Select an option first. || ముందుగా ఒక సమాధానాన్ని ఎంచుకోండి.
Explanation:
• Arsenic is a Group 15 element with five valence electrons and commonly acts as a donor in silicon.
• Donor doping increases the concentration of conduction electrons and produces n-type material.
• Boron and gallium are common acceptors, whereas phosphorus is also a donor.
• Donor doping increases the concentration of conduction electrons and produces n-type material.
• Boron and gallium are common acceptors, whereas phosphorus is also a donor.
వివరణ:
• Arsenic Group 15 మూలకం; దీనికి ఐదు valence electrons ఉండటంతో siliconలో సాధారణంగా donorగా పనిచేస్తుంది.
• Donor doping వల్ల చలించే ఎలక్ట్రాన్ల సంఖ్య పెరిగి n-type పదార్థం ఏర్పడుతుంది.
• Boron, gallium సాధారణంగా acceptors; phosphorus కూడా donorగా పనిచేస్తుంది.
• Donor doping వల్ల చలించే ఎలక్ట్రాన్ల సంఖ్య పెరిగి n-type పదార్థం ఏర్పడుతుంది.
• Boron, gallium సాధారణంగా acceptors; phosphorus కూడా donorగా పనిచేస్తుంది.
Question 13
ప్రశ్న 13
An engineer needs a silicon region in which holes are the majority carriers. Which action is most suitable?
ఒక ఇంజనీర్కు holes ప్రధాన విద్యుత్ వాహక కణాలుగా ఉండే silicon ప్రాంతం అవసరం. క్రింది చర్యల్లో ఏది సరైనది?
Select an option first. || ముందుగా ఒక సమాధానాన్ని ఎంచుకోండి.
Explanation:
• Acceptor dopants increase the hole concentration in silicon.
• When holes greatly outnumber electrons, the material behaves as p-type and holes are the majority carriers.
• Donor doping would instead increase electron concentration and favour n-type behaviour.
• When holes greatly outnumber electrons, the material behaves as p-type and holes are the majority carriers.
• Donor doping would instead increase electron concentration and favour n-type behaviour.
వివరణ:
• Acceptor dopants siliconలో holes సాంద్రతను పెంచుతాయి.
• Holes సంఖ్య ఎలక్ట్రాన్ల కంటే చాలా ఎక్కువైతే పదార్థం p-typeగా ప్రవర్తించి holes ప్రధాన వాహక కణాలవుతాయి.
• Donor doping అయితే ఎలక్ట్రాన్ల సంఖ్యను పెంచి n-type లక్షణాన్ని కలిగిస్తుంది.
• Holes సంఖ్య ఎలక్ట్రాన్ల కంటే చాలా ఎక్కువైతే పదార్థం p-typeగా ప్రవర్తించి holes ప్రధాన వాహక కణాలవుతాయి.
• Donor doping అయితే ఎలక్ట్రాన్ల సంఖ్యను పెంచి n-type లక్షణాన్ని కలిగిస్తుంది.
Question 14
ప్రశ్న 14
Assertion (A): Donor doping can greatly increase the conductivity of silicon without making the bulk crystal permanently negatively charged.
Reason (R): A donated mobile electron is accompanied by a positively ionized donor atom fixed in the crystal lattice.
Choose the correct answer.
Reason (R): A donated mobile electron is accompanied by a positively ionized donor atom fixed in the crystal lattice.
Choose the correct answer.
Assertion (A): Donor doping వల్ల silicon విద్యుత్ వాహకత గణనీయంగా పెరగవచ్చు; అయినప్పటికీ మొత్తం స్ఫటికం శాశ్వతంగా నికర ఋణ ఛార్జ్ పొందదు.
Reason (R): Donor ఇచ్చిన చలించే ఎలక్ట్రాన్కు సమతుల్యంగా స్ఫటిక జాలకంలో ధన ఛార్జ్ గల ionized donor పరమాణువు స్థిరంగా ఉంటుంది.
సరైన సమాధానాన్ని ఎంచుకోండి.
Reason (R): Donor ఇచ్చిన చలించే ఎలక్ట్రాన్కు సమతుల్యంగా స్ఫటిక జాలకంలో ధన ఛార్జ్ గల ionized donor పరమాణువు స్థిరంగా ఉంటుంది.
సరైన సమాధానాన్ని ఎంచుకోండి.
Select an option first. || ముందుగా ఒక సమాధానాన్ని ఎంచుకోండి.
Explanation:
• Donor doping supplies additional mobile electrons and can therefore increase conductivity strongly.
• When a donor atom releases an electron, the donor becomes positively ionized and remains essentially fixed at a lattice site.
• The positive ionized donor balances the negative mobile electron, so increased electron conduction does not imply a net negative bulk crystal.
• When a donor atom releases an electron, the donor becomes positively ionized and remains essentially fixed at a lattice site.
• The positive ionized donor balances the negative mobile electron, so increased electron conduction does not imply a net negative bulk crystal.
వివరణ:
• Donor doping అదనపు చలించే ఎలక్ట్రాన్లను అందించి విద్యుత్ వాహకతను గణనీయంగా పెంచగలదు.
• Donor పరమాణువు ఒక ఎలక్ట్రాన్ను ఇచ్చినప్పుడు అది ధన ఛార్జ్ గల ionized donorగా మారి స్ఫటిక జాలకంలో దాదాపుగా స్థిరంగా ఉంటుంది.
• ఈ ధన ఛార్జ్ చలించే ఎలక్ట్రాన్ ఋణ ఛార్జ్ను సమతుల్యం చేస్తుంది; కాబట్టి ఎలక్ట్రాన్ల ద్వారా వాహకత పెరగడం మొత్తం స్ఫటికం ఋణ ఛార్జ్ పొందిందని అర్థం కాదు.
• Donor పరమాణువు ఒక ఎలక్ట్రాన్ను ఇచ్చినప్పుడు అది ధన ఛార్జ్ గల ionized donorగా మారి స్ఫటిక జాలకంలో దాదాపుగా స్థిరంగా ఉంటుంది.
• ఈ ధన ఛార్జ్ చలించే ఎలక్ట్రాన్ ఋణ ఛార్జ్ను సమతుల్యం చేస్తుంది; కాబట్టి ఎలక్ట్రాన్ల ద్వారా వాహకత పెరగడం మొత్తం స్ఫటికం ఋణ ఛార్జ్ పొందిందని అర్థం కాదు.
Question 15
ప్రశ్న 15
Consider the following statements about semiconductor doping:
1. Doping can change carrier concentration by orders of magnitude.
2. Doping changes the magnitude of the elementary electronic charge.
3. Donor doping can produce n-type material.
4. Acceptor doping can produce p-type material.
How many of the statements given above are correct?
1. Doping can change carrier concentration by orders of magnitude.
2. Doping changes the magnitude of the elementary electronic charge.
3. Donor doping can produce n-type material.
4. Acceptor doping can produce p-type material.
How many of the statements given above are correct?
Semiconductor doping గురించి క్రింది ప్రకటనలను పరిశీలించండి:
1. Doping వల్ల విద్యుత్ వాహక కణాల సాంద్రత అనేక రెట్లు మారవచ్చు.
2. Doping వల్ల ఎలక్ట్రాన్ యొక్క మౌలిక విద్యుత్ ఛార్జ్ పరిమాణం మారుతుంది.
3. Donor doping వల్ల n-type పదార్థం ఏర్పడవచ్చు.
4. Acceptor doping వల్ల p-type పదార్థం ఏర్పడవచ్చు.
పై ప్రకటనల్లో ఎన్ని సరైనవి?
1. Doping వల్ల విద్యుత్ వాహక కణాల సాంద్రత అనేక రెట్లు మారవచ్చు.
2. Doping వల్ల ఎలక్ట్రాన్ యొక్క మౌలిక విద్యుత్ ఛార్జ్ పరిమాణం మారుతుంది.
3. Donor doping వల్ల n-type పదార్థం ఏర్పడవచ్చు.
4. Acceptor doping వల్ల p-type పదార్థం ఏర్పడవచ్చు.
పై ప్రకటనల్లో ఎన్ని సరైనవి?
Select an option first. || ముందుగా ఒక సమాధానాన్ని ఎంచుకోండి.
Explanation:
• Statements 1, 3 and 4 are correct: controlled doping is an effective way of changing carrier populations and carrier type.
• Statement 2 is incorrect because doping does not alter the fundamental charge of an electron.
• Semiconductor engineering works by changing carrier concentrations and energy levels, not by changing elementary particle charge.
• Statement 2 is incorrect because doping does not alter the fundamental charge of an electron.
• Semiconductor engineering works by changing carrier concentrations and energy levels, not by changing elementary particle charge.
వివరణ:
• 1, 3, 4 ప్రకటనలు సరైనవి; నియంత్రిత doping ద్వారా వాహక కణాల సంఖ్యను మరియు ప్రధాన వాహక కణాల రకాన్ని గణనీయంగా మార్చవచ్చు.
• 2వ ప్రకటన తప్పు; doping వల్ల ఎలక్ట్రాన్ యొక్క మౌలిక విద్యుత్ ఛార్జ్ మారదు.
• Semiconductor engineeringలో వాహక కణాల సాంద్రత, శక్తి స్థాయులను నియంత్రిస్తారు; మౌలిక కణాల ఛార్జ్ను మార్చరు.
• 2వ ప్రకటన తప్పు; doping వల్ల ఎలక్ట్రాన్ యొక్క మౌలిక విద్యుత్ ఛార్జ్ మారదు.
• Semiconductor engineeringలో వాహక కణాల సాంద్రత, శక్తి స్థాయులను నియంత్రిస్తారు; మౌలిక కణాల ఛార్జ్ను మార్చరు.
Question 16
ప్రశ్న 16
Which statement best distinguishes an extrinsic semiconductor from an intrinsic semiconductor?
Extrinsic semiconductorను intrinsic semiconductor నుంచి అత్యుత్తమంగా వేరు చేసే లక్షణం ఏది?
Select an option first. || ముందుగా ఒక సమాధానాన్ని ఎంచుకోండి.
Explanation:
• An intrinsic semiconductor derives its carriers primarily from thermal excitation within the pure semiconductor material.
• An extrinsic semiconductor is intentionally doped with donors or acceptors to control the carrier concentration and majority-carrier type.
• Both electrons and holes can exist in either case; the important distinction is how their concentrations are established.
• An extrinsic semiconductor is intentionally doped with donors or acceptors to control the carrier concentration and majority-carrier type.
• Both electrons and holes can exist in either case; the important distinction is how their concentrations are established.
వివరణ:
• Intrinsic semiconductorలో విద్యుత్ వాహక కణాలు ప్రధానంగా స్వచ్ఛ పదార్థంలో ఉష్ణ ఉత్తేజన వల్ల ఏర్పడతాయి.
• Extrinsic semiconductorలో donor లేదా acceptor dopantsను ఉద్దేశపూర్వకంగా చేర్చి వాహక కణాల సాంద్రతను, ప్రధాన వాహక కణాల రకాన్ని నియంత్రిస్తారు.
• రెండు రకాల పదార్థాల్లోనూ ఎలక్ట్రాన్లు, holes ఉండవచ్చు; వాటి సాంద్రత ఎలా నిర్ణయించబడుతుందనేదే ప్రధాన తేడా.
• Extrinsic semiconductorలో donor లేదా acceptor dopantsను ఉద్దేశపూర్వకంగా చేర్చి వాహక కణాల సాంద్రతను, ప్రధాన వాహక కణాల రకాన్ని నియంత్రిస్తారు.
• రెండు రకాల పదార్థాల్లోనూ ఎలక్ట్రాన్లు, holes ఉండవచ్చు; వాటి సాంద్రత ఎలా నిర్ణయించబడుతుందనేదే ప్రధాన తేడా.
Question 17
ప్రశ్న 17
Which statement about conductivity in a doped semiconductor is most accurate?
Doped semiconductorలో విద్యుత్ వాహకత గురించి అత్యంత సరైన ప్రకటన ఏది?
Select an option first. || ముందుగా ఒక సమాధానాన్ని ఎంచుకోండి.
Explanation:
• Semiconductor conductivity depends on how many mobile electrons and holes are present and how easily they move through the crystal.
• Doping often increases carrier concentration strongly, but ionized impurities can also contribute to carrier scattering and reduce mobility.
• Therefore carrier concentration and mobility must be considered separately when judging conductivity.
• Doping often increases carrier concentration strongly, but ionized impurities can also contribute to carrier scattering and reduce mobility.
• Therefore carrier concentration and mobility must be considered separately when judging conductivity.
వివరణ:
• Semiconductor విద్యుత్ వాహకత చలించే ఎలక్ట్రాన్లు, holes ఎన్ని ఉన్నాయో మరియు అవి స్ఫటికంలో ఎంత సులభంగా కదులుతాయో రెండింటిపైనా ఆధారపడి ఉంటుంది.
• Doping వల్ల వాహక కణాల సాంద్రత బాగా పెరగవచ్చు; అయితే ionized dopants కారణంగా scattering పెరిగి వాటి చలన సామర్థ్యం తగ్గవచ్చు.
• కాబట్టి వాహక కణాల సాంద్రతను, చలన సామర్థ్యాన్ని వేర్వేరుగా పరిగణించాలి.
• Doping వల్ల వాహక కణాల సాంద్రత బాగా పెరగవచ్చు; అయితే ionized dopants కారణంగా scattering పెరిగి వాటి చలన సామర్థ్యం తగ్గవచ్చు.
• కాబట్టి వాహక కణాల సాంద్రతను, చలన సామర్థ్యాన్ని వేర్వేరుగా పరిగణించాలి.
Question 18
ప్రశ్న 18
A semiconductor manufacturer needs adjacent regions of the same silicon wafer to have different electrical behaviour for device fabrication. Which technique is fundamental to achieving this?
ఒకే silicon waferలో పక్కపక్క ప్రాంతాలకు భిన్నమైన విద్యుత్ లక్షణాలు కల్పించి devices తయారు చేయాలి. దీనికి ప్రాథమికంగా ఉపయోగించే పద్ధతి ఏది?
Select an option first. || ముందుగా ఒక సమాధానాన్ని ఎంచుకోండి.
Explanation:
• Device fabrication requires precise control of carrier type and carrier concentration in different regions of a semiconductor wafer.
• Donor doping can create n-type regions, while acceptor doping can create p-type regions in the same host material.
• This spatial control of semiconductor properties is a foundation for junctions and later electronic-device structures.
• Donor doping can create n-type regions, while acceptor doping can create p-type regions in the same host material.
• This spatial control of semiconductor properties is a foundation for junctions and later electronic-device structures.
వివరణ:
• Semiconductor waferలోని వేర్వేరు ప్రాంతాల్లో వాహక కణాల రకం, సాంద్రతను ఖచ్చితంగా నియంత్రించడం device fabricationకు అవసరం.
• Donor dopingతో n-type ప్రాంతాలు, acceptor dopingతో p-type ప్రాంతాలను అదే పదార్థంలో రూపొందించవచ్చు.
• సెమీకండక్టర్ లక్షణాలను ప్రాంతాల వారీగా నియంత్రించే ఈ సామర్థ్యం junctionలు మరియు అనేక ఎలక్ట్రానిక్ పరికరాల తయారీకి పునాది.
• Donor dopingతో n-type ప్రాంతాలు, acceptor dopingతో p-type ప్రాంతాలను అదే పదార్థంలో రూపొందించవచ్చు.
• సెమీకండక్టర్ లక్షణాలను ప్రాంతాల వారీగా నియంత్రించే ఈ సామర్థ్యం junctionలు మరియు అనేక ఎలక్ట్రానిక్ పరికరాల తయారీకి పునాది.
Question 19
ప్రశ్న 19
At sufficiently high temperature, what can happen to the electrical behaviour of a doped semiconductor?
ఉష్ణోగ్రత చాలా ఎక్కువగా పెరిగినప్పుడు doped semiconductor విద్యుత్ ప్రవర్తనలో ఏమి జరగవచ్చు?
Select an option first. || ముందుగా ఒక సమాధానాన్ని ఎంచుకోండి.
Explanation:
• The intrinsic carrier concentration rises rapidly with temperature because more electrons are thermally excited across the band gap.
• At high enough temperature, these thermally generated carriers can become comparable to or exceed the carriers supplied by dopants.
• A doped semiconductor can therefore enter an intrinsic-temperature regime without the dopant atoms disappearing.
• At high enough temperature, these thermally generated carriers can become comparable to or exceed the carriers supplied by dopants.
• A doped semiconductor can therefore enter an intrinsic-temperature regime without the dopant atoms disappearing.
వివరణ:
• ఉష్ణోగ్రత పెరిగేకొద్దీ band gap దాటి ఉత్తేజితమయ్యే ఎలక్ట్రాన్ల సంఖ్య వేగంగా పెరగడం వల్ల intrinsic వాహక కణాల సాంద్రత కూడా పెరుగుతుంది.
• తగినంత ఎక్కువ ఉష్ణోగ్రత వద్ద ఈ వాహక కణాల సంఖ్య dopants వల్ల లభించే వాహక కణాల సంఖ్యకు సమానంగా లేదా అంతకంటే ఎక్కువగా మారవచ్చు.
• అందువల్ల dopants అలాగే ఉన్నప్పటికీ semiconductorలో intrinsic ఉష్ణోగ్రత లక్షణాలు ప్రధానమవచ్చు.
• తగినంత ఎక్కువ ఉష్ణోగ్రత వద్ద ఈ వాహక కణాల సంఖ్య dopants వల్ల లభించే వాహక కణాల సంఖ్యకు సమానంగా లేదా అంతకంటే ఎక్కువగా మారవచ్చు.
• అందువల్ల dopants అలాగే ఉన్నప్పటికీ semiconductorలో intrinsic ఉష్ణోగ్రత లక్షణాలు ప్రధానమవచ్చు.
Question 20
ప్రశ్న 20
Consider the following statements:
1. In n-type silicon, electrons are majority carriers.
2. In p-type silicon, holes are majority carriers.
3. In an intrinsic semiconductor, electrons and holes are generated in pairs.
4. Doping changes the fundamental electric charge carried by an electron.
How many of the statements given above are correct?
1. In n-type silicon, electrons are majority carriers.
2. In p-type silicon, holes are majority carriers.
3. In an intrinsic semiconductor, electrons and holes are generated in pairs.
4. Doping changes the fundamental electric charge carried by an electron.
How many of the statements given above are correct?
క్రింది ప్రకటనలను పరిశీలించండి:
1. n-type siliconలో ఎలక్ట్రాన్లు ప్రధాన విద్యుత్ వాహక కణాలు.
2. p-type siliconలో holes ప్రధాన విద్యుత్ వాహక కణాలు.
3. Intrinsic semiconductorలో ఎలక్ట్రాన్లు మరియు holes జంటలుగా ఏర్పడతాయి.
4. Doping వల్ల ఒక ఎలక్ట్రాన్ మోసే మౌలిక విద్యుత్ ఛార్జ్ మారుతుంది.
పై ప్రకటనల్లో ఎన్ని సరైనవి?
1. n-type siliconలో ఎలక్ట్రాన్లు ప్రధాన విద్యుత్ వాహక కణాలు.
2. p-type siliconలో holes ప్రధాన విద్యుత్ వాహక కణాలు.
3. Intrinsic semiconductorలో ఎలక్ట్రాన్లు మరియు holes జంటలుగా ఏర్పడతాయి.
4. Doping వల్ల ఒక ఎలక్ట్రాన్ మోసే మౌలిక విద్యుత్ ఛార్జ్ మారుతుంది.
పై ప్రకటనల్లో ఎన్ని సరైనవి?
Select an option first. || ముందుగా ఒక సమాధానాన్ని ఎంచుకోండి.
Explanation:
• Statements 1, 2 and 3 are correct descriptions of carrier behaviour in n-type, p-type and intrinsic semiconductors.
• Statement 4 is incorrect because doping changes carrier populations, not the elementary charge of an electron.
• The ability to control carrier populations without changing fundamental particle charge is central to semiconductor technology.
• Statement 4 is incorrect because doping changes carrier populations, not the elementary charge of an electron.
• The ability to control carrier populations without changing fundamental particle charge is central to semiconductor technology.
వివరణ:
• 1, 2, 3 ప్రకటనలు వరుసగా n-type, p-type మరియు intrinsic semiconductorల్లో వాహక కణాల ప్రవర్తనను సరిగ్గా వివరిస్తాయి.
• 4వ ప్రకటన తప్పు; doping వల్ల వాహక కణాల సంఖ్య మారుతుంది కానీ ఎలక్ట్రాన్ యొక్క మౌలిక ఛార్జ్ మారదు.
• మౌలిక కణాల ఛార్జ్ను మార్చకుండా వాహక కణాల సంఖ్యను నియంత్రించగలగడం semiconductor technologyలో కీలకం.
• 4వ ప్రకటన తప్పు; doping వల్ల వాహక కణాల సంఖ్య మారుతుంది కానీ ఎలక్ట్రాన్ యొక్క మౌలిక ఛార్జ్ మారదు.
• మౌలిక కణాల ఛార్జ్ను మార్చకుండా వాహక కణాల సంఖ్యను నియంత్రించగలగడం semiconductor technologyలో కీలకం.
Question 21
ప్రశ్న 21
Which feature of semiconductors makes them especially valuable for modern electronic technology compared with ordinary metallic conductors?
సాధారణ లోహ వాహకాలతో పోలిస్తే ఆధునిక ఎలక్ట్రానిక్ సాంకేతికతలో సెమీకండక్టర్లకు ప్రత్యేక ప్రాధాన్యం కలిగించే లక్షణం ఏది?
Select an option first. || ముందుగా ఒక సమాధానాన్ని ఎంచుకోండి.
Explanation:
• Semiconductor conductivity can be engineered over a very wide range by controlling impurity concentration and carrier type.
• This controllability allows selected regions of a material to perform different electrical functions in electronic devices.
• The electron's fundamental charge is unchanged; the technological advantage comes from control over carrier populations and transport.
• This controllability allows selected regions of a material to perform different electrical functions in electronic devices.
• The electron's fundamental charge is unchanged; the technological advantage comes from control over carrier populations and transport.
వివరణ:
• మలిన పరమాణువుల సాంద్రతను మరియు ప్రధాన వాహక కణాల రకాన్ని నియంత్రించడం ద్వారా semiconductor విద్యుత్ వాహకతను విస్తృతంగా మార్చవచ్చు.
• ఈ నియంత్రణ వల్ల ఒకే పదార్థంలోని వేర్వేరు ప్రాంతాలకు భిన్నమైన విద్యుత్ పనులను అప్పగించడం సాధ్యమవుతుంది.
• ఎలక్ట్రాన్ మౌలిక ఛార్జ్ మారదు; వాహక కణాల సంఖ్య, రవాణాను నియంత్రించగలగడమే ప్రధాన సాంకేతిక ప్రయోజనం.
• ఈ నియంత్రణ వల్ల ఒకే పదార్థంలోని వేర్వేరు ప్రాంతాలకు భిన్నమైన విద్యుత్ పనులను అప్పగించడం సాధ్యమవుతుంది.
• ఎలక్ట్రాన్ మౌలిక ఛార్జ్ మారదు; వాహక కణాల సంఖ్య, రవాణాను నియంత్రించగలగడమే ప్రధాన సాంకేతిక ప్రయోజనం.
Question 22
ప్రశ్న 22
Which comparison of temperature behaviour is generally correct for an intrinsic semiconductor and an ordinary metal over a moderate temperature range?
మధ్యస్థ ఉష్ణోగ్రత పరిధిలో intrinsic semiconductor మరియు సాధారణ లోహం ఉష్ణోగ్రత ప్రభావాన్ని సరైన విధంగా పోల్చేది ఏది?
Select an option first. || ముందుగా ఒక సమాధానాన్ని ఎంచుకోండి.
Explanation:
• In an intrinsic semiconductor, increasing temperature creates many additional electron-hole pairs, strongly raising carrier concentration.
• In an ordinary metal, the number of conduction electrons changes little while lattice vibrations increase scattering, so resistance generally rises with temperature.
• The contrasting temperature response is an important distinction between semiconductor and metallic conduction.
• In an ordinary metal, the number of conduction electrons changes little while lattice vibrations increase scattering, so resistance generally rises with temperature.
• The contrasting temperature response is an important distinction between semiconductor and metallic conduction.
వివరణ:
• Intrinsic semiconductorలో ఉష్ణోగ్రత పెరిగితే మరిన్ని electron-hole జంటలు ఏర్పడి విద్యుత్ వాహక కణాల సంఖ్య గణనీయంగా పెరుగుతుంది.
• సాధారణ లోహంలో వాహక ఎలక్ట్రాన్ల సంఖ్య పెద్దగా మారదు; కానీ స్ఫటిక జాలక కంపనలు పెరిగి scattering ఎక్కువవడంతో నిరోధం సాధారణంగా పెరుగుతుంది.
• ఉష్ణోగ్రతకు ఈ భిన్న స్పందన semiconductor మరియు లోహ వాహకత మధ్య ముఖ్యమైన తేడా.
• సాధారణ లోహంలో వాహక ఎలక్ట్రాన్ల సంఖ్య పెద్దగా మారదు; కానీ స్ఫటిక జాలక కంపనలు పెరిగి scattering ఎక్కువవడంతో నిరోధం సాధారణంగా పెరుగుతుంది.
• ఉష్ణోగ్రతకు ఈ భిన్న స్పందన semiconductor మరియు లోహ వాహకత మధ్య ముఖ్యమైన తేడా.
Answer Key సమాధానాల పట్టిక
-
Question 1 ప్రశ్న 1Answer: A. Conductors generally have readily available electronic states for conduction, semiconductors have a relatively small finite band gap, and insulators have a much larger band gap సమాధానం: A. వాహకాల్లో విద్యుత్ ప్రవాహానికి అవసరమైన ఎలక్ట్రాన్ స్థితులు సులభంగా అందుబాటులో ఉంటాయి; సెమీకండక్టర్లలో తక్కువ పరిమాణంలో కానీ శూన్యం కాని band gap ఉంటుంది; అవాహకాలలో band gap చాలా పెద్దది
-
Question 2 ప్రశ్న 2Answer: C. They are equal సమాధానం: C. రెండూ సమానంగా ఉంటాయి
-
Question 3 ప్రశ్న 3Answer: B. Thermal energy generates more electron-hole pairs సమాధానం: B. ఉష్ణ శక్తి వల్ల మరిన్ని electron-hole జంటలు ఏర్పడతాయి
-
Question 4 ప్రశ్న 4Answer: B. To control the type and concentration of mobile charge carriers సమాధానం: B. చలించే విద్యుత్ వాహక కణాల రకం మరియు సాంద్రతను నియంత్రించడం
-
Question 5 ప్రశ్న 5Answer: B. n-type silicon with electrons as majority carriers సమాధానం: B. ఎలక్ట్రాన్లు ప్రధాన వాహక కణాలుగా ఉండే n-type silicon
-
Question 6 ప్రశ్న 6Answer || సమాధానం: C. Boron
-
Question 7 ప్రశ్న 7Answer: C. Both 1 and 2 సమాధానం: C. 1 మరియు 2 రెండూ
-
Question 8 ప్రశ్న 8Answer: B. Electrons are majority carriers and holes are minority carriers సమాధానం: B. ఎలక్ట్రాన్లు ప్రధాన వాహక కణాలు; holes తక్కువ సంఖ్యలో ఉండే వాహక కణాలు
-
Question 9 ప్రశ్న 9Answer: D. The entire crystal must have a net positive charge because holes are the majority carriers సమాధానం: D. holes ప్రధాన వాహక కణాలు కాబట్టి మొత్తం స్ఫటికం తప్పనిసరిగా నికర ధన ఛార్జ్ కలిగి ఉంటుంది
-
Question 10 ప్రశ్న 10Answer: C. An unoccupied electronic state in an otherwise nearly filled valence band that behaves as an effective positive carrier సమాధానం: C. దాదాపుగా నిండిన వాలెన్స్ బ్యాండ్లో ఎలక్ట్రాన్ లేని స్థానం; ఇది ప్రభావవంతంగా ధన వాహక కణంలా ప్రవర్తిస్తుంది
-
Question 11 ప్రశ్న 11Answer: C. Silicon has a larger band gap than germanium సమాధానం: C. Siliconకు germanium కంటే పెద్ద band gap ఉంటుంది
-
Question 12 ప్రశ్న 12Answer || సమాధానం: C. Arsenic — donor — n-type
-
Question 13 ప్రశ్న 13Answer: A. Dope it with a suitable acceptor such as boron సమాధానం: A. Boron వంటి తగిన acceptorతో doping చేయడం
-
Question 14 ప్రశ్న 14Answer: A. Both A and R are true, and R is the correct explanation of A సమాధానం: A. A మరియు R రెండూ సరైనవి; Aకు R సరైన వివరణ
-
Question 15 ప్రశ్న 15Answer: C. Only three సమాధానం: C. మూడు మాత్రమే
-
Question 16 ప్రశ్న 16Answer: A. An extrinsic semiconductor has been intentionally doped so that its carrier population is controlled by added impurities over the relevant operating range సమాధానం: A. Extrinsic semiconductorలో ఉద్దేశపూర్వకంగా dopants చేర్చి, సంబంధిత పని ఉష్ణోగ్రత పరిధిలో విద్యుత్ వాహక కణాల సంఖ్యను నియంత్రిస్తారు
-
Question 17 ప్రశ్న 17Answer: B. Conductivity depends on both the concentration and mobility of charge carriers సమాధానం: B. విద్యుత్ వాహకత వాహక కణాల సాంద్రత మరియు వాటి చలన సామర్థ్యం రెండింటిపైనా ఆధారపడి ఉంటుంది
-
Question 18 ప్రశ్న 18Answer: A. Controlled introduction of donor and acceptor dopants into selected regions సమాధానం: A. ఎంచుకున్న ప్రాంతాల్లో donor మరియు acceptor dopantsను నియంత్రితంగా చేర్చడం
-
Question 19 ప్రశ్న 19Answer: A. Thermally generated intrinsic carriers can become so numerous that intrinsic behaviour becomes important despite the doping సమాధానం: A. ఉష్ణం వల్ల స్వతహాగా ఏర్పడే వాహక కణాల సంఖ్య చాలా పెరిగి, doping ఉన్నప్పటికీ intrinsic లక్షణాలు ముఖ్యమవవచ్చు
-
Question 20 ప్రశ్న 20Answer: C. Only three సమాధానం: C. మూడు మాత్రమే
-
Question 21 ప్రశ్న 21Answer: A. Their electrical conductivity can be deliberately and precisely modified by processes such as doping సమాధానం: A. Doping వంటి పద్ధతులతో వాటి విద్యుత్ వాహకతను ఉద్దేశపూర్వకంగా, ఖచ్చితంగా మార్చగలగడం
-
Question 22 ప్రశ్న 22Answer: B. An intrinsic semiconductor generally shows increasing conductivity with temperature, whereas an ordinary metal generally shows decreasing conductivity సమాధానం: B. Intrinsic semiconductorలో ఉష్ణోగ్రత పెరిగేకొద్దీ విద్యుత్ వాహకత సాధారణంగా పెరుగుతుంది; సాధారణ లోహంలో మాత్రం సాధారణంగా తగ్గుతుంది